“各位董事，要是EUV LLc联盟在未来二年内从理论上证明研制EUV光刻机的技术可行，将这个宝贵的机会和重任交给GcA，公司不可能放弃，但投资巨大，半导体产业陷入衰退又不可避免，避免两线作战，造成资金捉襟见肘，我们只能将重心放在EUV光刻机的研制上。我建议艾德里安先生和汤普森院长出面找SVG商谈，联合开发157nm激光器。”
孙健估计，EUV LLc联盟在明年底前就能证明制造EUV光刻机在理论上的可行性，但EUV光刻机量产最起码还需要10年，如今也不能告诉大家，到时由bSEc免费提供193nm浸没式光刻机专利技术给GcA。
bSEc是在GcA拥有的第一代193nmArF准分子激光器专利技术基础上研发成功193nm浸没式光刻机技术，核心还是GcA拥有技术专利的193nm准分子激光器，GcA研制的第二代、第三代193nm准分子激光器也授权bSEc技术；虽然浸没式光刻技术属于bSEc重新开发的公司发明专利，但按照当初签订的专利技术授权转让合同，要免费授权给GcA使用，就像GcA去年研发成功的第三代（12英寸晶圆、90nm制程工艺）磁悬浮式双工作台系统，专利还是属于bSEc，授权GcA免费使用。
1.5um-800nm制程工艺的光刻机配套6英寸晶圆，500nm-180nm制程工艺光刻机配套8英寸晶圆，90nm以下的都配套12英寸晶圆，相配套的磁悬浮工作台系统分别称为第一代、第二代、第三代，一代中还有子代，核心技术还是bSEc拥有公司发明专利的第一代。
GcA研发成功第二代、第三代磁悬浮式双工作台系统通过夏季常院士领导的光刻机自动化研究所改进后，青出于蓝而胜于蓝，返还GcA使用，授权其他光刻机公司升级。
bSEc光刻机自动化研究所将来研制为12英寸晶圆、65nm制程工艺浸没式光刻机配套的磁悬浮式双工作台系统将称为第四代，10nm称为第五代、7nm称为第六代……bSEc拥有的磁悬浮式双工作台系统的公司发明专利不会失效。
两家公司虽然都是孙健控股，手背手心都是肉，但严格按照两国法律办事，不会留下被人攻击的把柄。
以GcA如今的江湖地位、财力和技术实力，愿意同SVG联合开发157nm激光器，对双方都有利，如何说服papken同意就不是孙健关心的事了。
“好的，董事长！”
“好的，董事长！”
孙董事长同意两条腿走路，艾德里安和汤普森放心了，他俩有信心说服papken。
其他董事也露出笑容。
孙健也没办法说服公司高层放弃研究157nm激光器，只能折中。
1999年财报显示，SVG的销售收入只有2.7亿美元，不到GcA的5%，157nm激光器技术路线在前世已被证明没有远大前途，孙健不能明说，也说不清楚，正好借这次董事会的机会否决了GcA高层打算投资10亿美元收购SVG的意向。
前世，为了能进入EUV LLc联盟，给美国政府一份投名状，ASmL花费16亿美元收购了市值10亿美元的SVG，拿到了157nm激光器需要配置的反折射镜头技术，由于已经研发成功193nm浸没式光刻机技术，光刻效果超过Nikon的157nm光刻机技术，SVG的157nm激光器技术被束之高阁。
前世，Nikon费尽心机，在ASmL研究成功193nm浸没式光刻机二年后，也研制成功157nm激光器，攻克了193nm波长的世界级难题，研制成功65nm制程工艺光刻机，但光刻效果不如65nm制程工艺的ASmL浸没式光刻机好，Intel、台积电和三星等三家全球最重要的光刻机客户不买账，Nikon不得不另起炉灶，重新开始研发浸没式光刻机，Nikon技术实力雄厚，竟然也研制成功，但一去一回，耽误了三、四年的时间，高端光刻机市场被ASmL占据了，随着EUV光刻机面世，超高端光刻机市场也被ASmL垄断，日本举国之力也没有研制成功EUV光刻机，Nikon丧失了同ASmL竞争的资格，在中端光刻机市场混日子。
光刻机产业和晶圆制造产业都属于劳动密集型和资金密集型产业，优胜劣汰，前世全球只剩下3、4家！
bSEc将来能否研制成功EUV光刻机不是孙健操心的事情，尽力就够了！
累死了，痛苦会留给家人！
重生者也不想当什么英雄!
ASmL是否投巨资收购SVG？得到其157nm激光器需要配置的反折射镜头技术，早日开发成功157nm激光器，tIc作为战略投资者，不干涉ASmL的日常经营活动。
全球数码相机霸主canon看不上一年全球只有500台左右光刻机的生意，没有全心研发光刻机，但今年3月也研制成功180nm制程工艺的光刻机，如今正在研制90nm制程工艺的光刻机，技术水平排在全球第4位，在全球中低端光刻机市场占据5成的市场份额。
SVG在今年5月也研发成功180nm制程工艺的光刻机。技术水平在全球排第五位，在全球中低端光刻机市场占据2成。
bSEc还在研发180nm制程工艺的光刻机，借助于蓬勃发展的国内市场，占据全球中低端光刻机市场的3成，还拥有全球排名第一的磁悬浮式双工作台系统技术，综合实力同SVG并列第五。
研制12英寸晶圆、90nm制程工艺的光刻机比研发原子弹和卫星复杂的多，光刻机产业除了耗资巨大外，还需要技术积累和人才积累，这个时代的国内半导体产业链同美国和日本相比不是一个层次的竞争对手，bSEc不可能花费10年时间就能赶上GcA或Nikon，孙健从开始接手，就有清醒的认识，钱不是万能的！没有193nm波长这道世界级的难题阻挡，bSEc再花10年时间，也赶不上GcA和Nikon!
如今EUV LLc联盟同前世唯一不同的是，荷兰光刻机公司AmSL变成了美国光刻机公司GcA。
前世，ASmL为了进入EUV LLc联盟，不得不答应美国政府提出的苛刻条件，包括在美国境内建厂、建立研发中心，制造出来的EUV光刻机中有55%的零件必须由美企采购。
EUV光刻机中至少有一半技术来自美国高科技公司，这是ASmL永远绕不过去的专利技术。
90nm制程工艺的bSEc光刻机不量产，bSEc不会申请浸没式光刻机技术的公司发明专利。